科創(chuàng)200ETF指數(shù)(588240)漲超1.8%沖擊4連漲，國產(chǎn)功率器件技術(shù)突破核聚變應(yīng)用壁壘
截至2025年8月6日 14:50，科創(chuàng)200ETF指數(shù)(588240)上漲1.81%， 沖擊4連漲。成分股宏微科技(688711)上漲19.98%，炬光科技(688167)上漲19.41%，電氣風(fēng)電(688660)上漲14.65%，索辰科技(688507)、紐威數(shù)控(688697)等個股跟漲。
消息面上，宏微科技與瀚海聚能（成都）科技有限公司正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，標志著國產(chǎn)IGBT功率半導(dǎo)體器件正式進入可控核聚變核心技術(shù)環(huán)節(jié)。此次合作將圍繞背景磁場電源系統(tǒng)、形成區(qū)脈沖電源系統(tǒng)、加速區(qū)脈沖電源系統(tǒng)、對撞壓縮區(qū)脈沖電源系統(tǒng)等多個關(guān)鍵領(lǐng)域展開深度技術(shù)協(xié)作。雙方還將在中性束注入電源系統(tǒng)、輔助加熱電源系統(tǒng)、輸變電及并網(wǎng)系統(tǒng)等方面推進功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用開發(fā)。
華福證券指出，AI拉動的數(shù)據(jù)中心、AI手機、AIPC、ASIC、GPU、HPC等需求正在改變半導(dǎo)體行業(yè)的價值分布，驅(qū)動設(shè)備、制造、材料以及封裝等領(lǐng)域向更高階的方向發(fā)展，我國作為電子信息制造大國，各個環(huán)節(jié)均將受益。建議關(guān)注半導(dǎo)體制造龍頭、半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體零部件、半導(dǎo)體材料。
科創(chuàng)200ETF指數(shù)(588240)緊密跟蹤上證科創(chuàng)板200指數(shù)，上證科創(chuàng)板200指數(shù)從上海證券交易所科創(chuàng)板中選取市值較小且流動性較好的200只證券作為樣本。上證科創(chuàng)200指數(shù)與上證科創(chuàng)板50成份指數(shù)、上證科創(chuàng)板100指數(shù)共同構(gòu)成上證科創(chuàng)板規(guī)模指數(shù)系列，反映科創(chuàng)板市場不同市值規(guī)模上市公司證券的整體表現(xiàn)。
科創(chuàng)200ETF指數(shù)(588240)，場外聯(lián)接A：023926；聯(lián)接C：023927。
來源：有連云
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